รายละเอียดสินค้า
สถานที่กำเนิด: จีน
ชื่อแบรนด์: VBE
ได้รับการรับรอง: ISO9001
หมายเลขรุ่น: VBP7-10GL
เงื่อนไขการชําระเงินและการจัดส่ง
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1set
ราคา: Customized Product
รายละเอียดการบรรจุ: จัดกลาง
เวลาการส่งมอบ: 7-15 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: T/T ตะวันตกสหภาพ
สามารถในการผลิต: 10000 ชิ้นต่อเดือน
ชื่อผลิตภัณฑ์: |
แอมพลิฟายเออร์เสียงรบกวนต่ำ L-7-10.5GHz X-Band LNA |
ย่านความถี่: |
ที่ปรับแต่งได้ |
IMD อันดับที่ 3 (P1dB-3dB): |
≤-51 |
แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน: |
DC + 12V |
ชื่อผลิตภัณฑ์: |
แอมพลิฟายเออร์เสียงรบกวนต่ำ L-7-10.5GHz X-Band LNA |
ย่านความถี่: |
ที่ปรับแต่งได้ |
IMD อันดับที่ 3 (P1dB-3dB): |
≤-51 |
แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน: |
DC + 12V |
7-10.5GHz X-Band Low Noise Amplifier LNA, RF Power Amplifier Module, Satallite Communication
VBE RF Power Amplifier โมดูลคำแนะนำ:
ตัวทำละลาย VBE ของโมดูล RF รวมถึงแหล่งกำเนิดสัญญาณความถี่วิทยุ, แอมพลิฟายเออร์ความถี่วิทยุ (PA), แอมพลิฟายเออร์เสียงรบกวนต่ำ (LNA), ยูนิตภายนอกความถี่วิทยุ (ODU) และโซลูชันโมดูลความถี่วิทยุที่กำหนดเอง, แถบความถี่ครอบคลุมแถบคลื่น P, L - วงคลื่นวงคลื่น S วงคลื่น Ku-wave และวง Ka-wave และอื่น ๆ โดยใช้กันอย่างแพร่หลายในระบบอุปกรณ์ระดับไฮเอนด์โมดูลนี้ใช้เทคโนโลยีขั้นสูงจำนวนหนึ่งในการออกแบบผลิตภัณฑ์และตอบสนองความต้องการของฟังก์ชันและประสิทธิภาพที่แตกต่างกัน พารามิเตอร์.
ข้อกำหนดทางเทคนิค:
| ไม่ | สิ่งของ | คำอธิบาย | ค่าต่ำสุดโดยทั่วไป | หน่วย |
| 1 | ย่านความถี่ | ก ข ค ง จ |
7.25 7.75 8.0 8.4 7.5 8.5 8.0 9.0 10.0 10.5 |
GHz |
| 2 | กำไร | เลือกได้ | 50 60 | เดซิเบล |
| 3 | เพิ่มความเรียบ | เต็มวง | +/- 0.75 | เดซิเบล |
| 4 | VSWR | อินพุต เอาต์พุต |
1.25: 1 1.5: 1 |
|
| 5 | อุณหภูมิเสียง | 23 องศาเซลเซียส | 60 70 80 | ° K |
| 6 |
การบีบอัด 1dB พลังจุด |
≥ + 10 | dBm | |
| 7 | IMD ลำดับที่ 3 | ดูอัลโทน -12dBm | ≤-51 | dBc |
| 8 | เพิ่มเสถียรภาพ | 24 ชั่วโมง | +/- 0.5 | เดซิเบล |
| 9 | ตัวเชื่อมต่อ | อินพุต เอาต์พุต |
ท่อนำคลื่น N หรือ SMA |
|
| 10 | อินพุตเกิน | เกิน 1 นาที | 0 | dBm |
| 11 | แรงดันไฟฟ้าในการทำงาน | กระแสตรง | +12 +15 | วี |
| 12 | อุณหภูมิในการทำงาน | -40 ~ + 70 | ° C |
คุณสมบัติของสินค้า:
1. แถบความถี่กว้าง
2. เสียงรบกวนต่ำ;
3. ใช้พลังงานต่ำเชิงเส้นสูง;
4. กระบวนการประกอบไมโครไฮบริดขนาดเล็กเสถียรภาพสูง
5. ช่วงอุณหภูมิในการทำงานกว้าง
6. กำหนดเองได้
การใช้งาน:
